粗硅提純用蒸餾

Ⅰ 工業上用「三氯氫硅還原法」，提純粗硅的工藝流程如圖所示：（1）三氯氫硅的制備原理：Si（s）+3HCl（g）

（1）用催化劑、增大壓強或HCl濃度，加快SiHCl₃的生成速率而又不降低硅的轉化率提高；
故答案為：催化劑、增大壓強或HCl濃度；
（2）①SiHCl₃（l）和SiCl₄（l）是互溶的液體，採用蒸餾的方法分離；
故答案為：蒸餾；
②Si（s）+3HCl（g）?SiHCl₃（g）+H₂（g）△H=-210kJ/mol①
Si（s）+4HCl（g）?SiCl₄（g）+2H₂（g）△H=-241kJ/mol②
根據蓋斯定律則②-①得：SiHCl₃（g）+HCl（g）?SiCl₄（g）+H₂（g）△H=-31kJ/mol，故答案為：-31；
③由圖示可知反應物有粗硅、HCl、H₂；反應過程中生成物有：SiHCl₃、H₂、SiCl₄、HCl，所以在反應物中和生成物中都有的物質是HCl、H₂，所以流程中可循環使用的物質是HCl、H₂，故答案為：氯化氫、氫氣．

Ⅱ 粗硅提純要什麼條件

首先，方法不同，條件不同。
方法一：（1）SiO2+2C=(條件:3270K)Si+2CO
(2)Si(粗)+2Cl2(g)==(720~770k)==SiCl4(l)
(3) SiCl4+2H2==電爐==Si(純)+4HCl
方法二：(1)Si(粗)+3HCl(g)==可逆(520~570k)==SiHCl3(l)+H2(g)
(2)精餾方法，提純SiHCl3
(3)提純後再用氫氣還原。H2+SiHCl3=(1084℃)==Si(純)+3HCl
方法三：(4)Na2SiF6+4Na====6NaF+Si 摘自冀師大版(無機.下)P510
方法優缺點：方法一需要高溫，耗能大，一般工業上常用
方法二反應溫度較低，耗能少，但生成的三氯硅甲烷易自燃，實驗室常用
方法三較廉價
註：方法二制備過程中必須無水無氧。提純後再用氫氣還原若混入氧氣，硅被氧化得不到高純硅且還會引起爆炸。

Ⅲ 如何提純硅

一般來說,工業製取高禪絕純單晶硅主要採用以下方法：
橘襲哪①首先由石英砂和焦炭在電弧爐中製取純度較低的粗硅
SiO2+2C==(3273K)Si+2CO↑
②然後將粗硅轉化為有揮發性並易提純的四氯化硅或三氯氫硅
圓碼Si+2Cl2==（723~773K）SiCl4
Si+3HCl==(523~573K)SiHCl3+H2↑
③再用精餾法提純SiCl4或SiHCl3,在電爐中用氫氣還原,得到純度較高的硅
SiCl4+2H2==(加熱)Si+4HCl
④最後我們用區域熔融法進一步提純並製成高純單晶硅

Ⅳ 如何用粗硅提純得到單晶硅

然後，裂模旁將粗
si
再轉變成四鹵化硅：
si
+
cl2
→
sicl4
用精餾的碼乎方法將
sicl4
提純後，再用純鋅或鎂還原
sicl4
得到較高肆橡的單質硅：
sicl4
+
2zn
→
si
+
2zncl2
最後用物理方法——區域熔融法——來進一步提純，得到高純度得硅。
硅