⑴ 有較低vol的反相器總有較短的從高到低的開關時間嗎
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文檔介紹：CMOS反相器. * energy-delay energy delay 0 5 10 15 0.5 1 1.5 2 2.5 Vdd (V) Energy-Delay (normalized) 例5.15 0.25?m CMOS反相器的最優電源電壓 VTn=0.43V, VDsatn=0.63V, VTEn=0.74V, VTp=-0.4V, VDsatp=-1V, VTEp=-0.9V, VTE≈(VTEn+|VTEp|)/2=0.8V 因此，VDDopt=(3/2) ×0.8V=1.2V 所預測的最優電源電壓為1.1.V Energy-Delay Energy Delay END * 阻抗是電路或設備對交流電流的阻力，輸出阻抗是在出口處測得的阻抗。阻抗越小，驅動更大負載的能力就越高。 輸入阻抗是在入口處測得的阻抗。高輸入阻抗能夠減小電路連接時信號的變化，因而也是最理想的。 CMOS反相器. * 5.4.3 從設計角度考慮傳播延時 NMOS與PMOS的比 使PMOS管較寬，以使它的電阻與下拉的NMOS管匹配。這通常要求PMOS和NMOS的寬度比在3~3.5之間 對稱VTC 由高至低與由低至高的傳播延時相等 如果對稱性和雜訊容限不是主要的考慮因素，那麼實際上有可能通過減少PMOS器件的寬度來加快反相器的速度 使PMOS較寬因充電電流的增加而改善了反相器的tpLH，但它也由於產生較大的寄生電容而使tpHL變差 ? = (W/L) p/(W/L) n r = Reqp/Reqn (代表尺寸完全相同的PMOS和NMOS晶體管的電阻比) ?opt = ?r (當導線電容可以忽略時) CMOS反相器. * 例5.6 確定以相同門為負載的CMOS反相器的尺寸 圖5.18 CMOS反相器的傳播延時與PMOS對NMOS管比值β的關系 ? = (W/Lp)/(W/Ln) tp(sec) ?
⑵ TTL反相器的電路結構和工作原理是什麼
TTL集成邏輯門電路的輸入和輸出結構均採用半導體三極體，所以稱晶體管—晶體管邏輯門電路，簡稱TTL電路。TTL電路的基本環節是反相器。當輸入高電平時，
uI=3.6V，VT1處於倒置工作狀態，集電結正偏，發射結反偏，uB1=0.7V??2.1V，VT2和VT4飽和，輸出為低電平uO=0.3V。
⑶ 反相器的傳輸延時跟哪些因素有關如何計算
降低反相器傳播延時的措施：
減小CL：擴散電容、互連線電容、扇出電容
增加MOS管的W/L，即減小Reqn和Reqp
提高VDD，即對RC電路的充電速度變快
反相器是可以將輸入信號的相位反轉180度，這種電路應用在模擬電路，比如說音頻放大，時鍾振盪器等。在電子線路設計中，經常要用到反相器。CMOS反相器電路由兩個增強型MOS場效應管組成。典型TTL與非門電路電路由輸入級、中間級、輸出級組成。
隨著微電子技術與工藝的不斷發展和創新，以計算機為代表的各類數字電子產品應用越來越廣泛，與此同時也面臨著更加復雜的電磁環境。CMOS 反相器是幾乎所有數字集成電路設計的核心，它具有較大的雜訊容限、極高的輸入電阻、極低的靜態功耗以及對雜訊和干擾不敏感等優點，因此廣泛應用於數字集成電路中。HPM可以通過縫隙、孔洞以及外露連接線纜等「後門」途徑，耦合進入電子系統內部，影響系統內器件的正常工作，