A. 半導體污水處理流程
(1)將半導體器件製造中產生的電鍍廢水和研磨廢水進行混合，形成混合廢水;(2)將步驟(1)的混合廢水泵入浸沒式膜過濾裝置過濾;(3)將經過步驟(2)過濾的水泵入納濾膜過濾裝置過濾，經過納濾膜過濾裝置過濾的水即可直接回用。本發明採用上述半導體加工混合廢水經浸沒式膜過濾裝置過濾及納濾膜過濾裝置過濾處理，可回收大於85%的水資源，回收水質穩定，回收水質完全達到和優於國家標准，整個處理過程未添加任何化學葯劑，不會產生有害的污泥，運行費用較低，濃縮後的污泥無毒、無害，易處理。
B. 我家附近要建單晶硅廠，請問單晶硅廠的污染性大嗎
化工企業都有污染，污染不光指工業「三廢」(廢水、廢氣、廢渣)的排放，同時雜訊污染，光污染等都會對周圍環境產生影響。
但是好的化工企業都會在注重經濟效益的同時，嚴格控制污染源的。譬如安裝除塵裝置，消除產生的粉塵；排氣口消聲；廢水處理；重金屬化學品回收等。
當然單晶硅的生產本身，確實是有不少污染物產生的。
頂上「沙發」說的一氧化碳和氯化氫其實都可以回收，同時可以為企業創造效益。氯化氫用水吸收可以成為一定濃度的鹽酸。一氧化碳即使不好用也可以在充分燃燒後，變得沒有污染（無毒）
C. 關於光伏產業污水排放標准
1. 排放的時候，標准選用國標標准，國標標准大於其它標準的效力，請參照GB 8978-1996 《污水專綜合排放標屬准》；
2. 回用的時候，選用標准較多，因為考慮的是實際的運用，水質也不同；回用的標准要根據回用要求選用。
光伏行業的廢水一般污染因子有PH，COD，氟離子，醇類；可通過PH調節+二級混凝沉澱+氧化鋁過濾工藝去除達標。
D. 單晶臟矽片清洗方法
從多晶硅到單晶硅棒再到切(硅)片這一段是用不到金剛石砂輪的!我們公司就是從事光伏產品的製造! 從多晶硅-單晶硅-切片都做的! 目前超過98％的電子元件材料全部使用單晶硅。其中用CZ法佔了約85％，其他部份則是由浮融法FZ生長法。CZ法生長出的單晶硅，用在生產低功率的集成電路元件。而FZ法生長出的單晶硅則主要用在高功率的電子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半導體工業採用，主要在於它的高氧含量提供了晶片強化的優點。另外一個原因是CZ法比FZ法更容易生產出大尺寸的單晶硅棒。 目前國內主要採用CZ法 CZ法主要設備：CZ生長爐 CZ法生長爐的組成元件可分成四部分 （1）爐體：包括石英坩堝，石墨坩堝，加熱及絕熱元件，爐壁 （2）晶棒及坩堝拉升旋轉機構：包括籽晶夾頭，吊線及拉升旋轉元件 （3）氣氛壓力控制：包括氣體流量控制，真空系統及壓力控制閥 （4）控制系統：包括偵測感應器及電腦控制系統 加工工藝： 加料→熔化→縮頸生長→放肩生長→等徑生長→尾部生長 （1）加料：將多晶硅原料及雜質放入石英坩堝內，雜質的種類依電阻的N或P型而定。雜質種類有硼，磷，銻，砷。 （2）熔化：加完多晶硅原料於石英堝內後，長晶爐必須關閉並抽成真空後充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內，然後打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。 （3）縮頸生長：當硅熔體的溫度穩定之後，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由於籽晶與硅熔體場接觸時的熱應力，會使籽晶產生位錯，這些位錯必須利用縮勁生長使之消失掉。縮頸生長是將籽晶快速向上提升，使長出的籽晶的直徑縮小到一定大小（4-6mm）由於位錯線與生長軸成一個交角，只要縮頸夠長，位錯便能長出晶體表面，產生零位錯的晶體。 （4）放肩生長：長完細頸之後，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。 （5）等徑生長：長完細頸和肩部之後，借著拉速與溫度的不斷調整，可使晶棒直徑維持在正負2mm之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶矽片取自於等徑部分。 （6）尾部生長：在長完等徑部分之後，如果立刻將晶棒與液面分開，那麼效應力將使得晶棒出現位錯與滑移線。於是為了避免此問題的發生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點而與液面分開。這一過程稱之為尾部生長。長完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時間後取出，即完成一次生長周期。 單晶硅棒加工成單晶硅拋光矽片 加工流程： 單晶生長→切斷→外徑滾磨→平邊或V型槽處理→切片 倒角→研磨 腐蝕--拋光→清洗→包裝 切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規格的部分，將單晶硅棒分段成切片設備可以處理的長度，切取試片測量單晶硅棒的電阻率含氧量。 切斷的設備：內園切割機或外園切割機 切斷用主要進口材料：刀片 外徑磨削：由於單晶硅棒的外徑表面並不平整且直徑也比最終拋光晶片所規定的直徑規格大，通過外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。 外徑滾磨的設備：磨床 平邊或V型槽處理：指方位及指定加工，用以單晶硅捧上的特定結晶方向平邊或V型。 處理的設備：磨床及X－RAY繞射儀。 切片：指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶片。 切片的設備：內園切割機或線切割機 倒角：指將切割成的晶片稅利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。 倒角的主要設備：倒角機 研磨：指通過研磨能除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶矽片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規格。 研磨的設備：研磨機（雙面研磨） 主要原料：研磨漿料（主要成份為氧化鋁，鉻砂，水），滑浮液。 腐蝕：指經切片及研磨等機械加工後，晶片表面受加工應力而形成的損傷層，通常採用化學腐蝕去除。 腐蝕的方式：（A）酸性腐蝕，是最普遍被採用的。酸性腐蝕液由硝酸（HNO3），氫氟酸（HF），及一些緩沖酸（CH3COCH，H3PO4）組成。 （B）鹼性腐蝕，鹼性腐蝕液由KOH或NaOH加純水組成。 拋光：指單晶矽片表面需要改善微缺陷，從而獲得高平坦度晶片的拋光。 拋光的設備：多片式拋光機，單片式拋光機。 拋光的方式：粗拋：主要作用去除損傷層，一般去除量約在10－20um； 精拋：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下 主要原料：拋光液由具有SiO2的微細懸硅酸膠及NaOH（或KOH或NH4OH）組成，分為粗拋漿和精拋漿。 清洗：在單晶矽片加工過程中很多步驟需要用到清洗，這里的清洗主要是拋光後的最終清洗。清洗的目的在於清除晶片表面所有的污染源。 清洗的方式：主要是傳統的RCA濕式化學洗凈技術。 主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL （3）損耗產生的原因 A.多晶硅--單晶硅棒 多晶硅加工成單晶硅棒過程中：如產生損耗是重摻堝底料、頭尾料則無法再利用，只能當成冶金行業如煉鐵、煉鋁等用作添加劑；如產生損耗是非重摻堝底料、頭尾料可利用製成低檔次的硅產品，此部分應按邊角料征稅。 重摻料是指將多晶硅原料及接近飽和量的雜質（種類有硼，磷，銻，砷。雜質的種類依電阻的N或P型）放入石英坩堝內溶化而成的料。 重摻料主要用於生產低電阻率（電阻率＜0.011歐姆／厘米）的矽片。 損耗：單晶拉制完畢後的堝底料約15％。 單晶硅棒整形過程中的頭尾料約20％。 單晶整形過程中（外徑磨削工序）由於單晶硅棒的外徑表面並不平整且直徑也比最終拋光晶片所規定的直徑規格大，通過外徑磨削可以獲得較為精確的直徑。損耗約10％-13％。 希望能對你有幫助!