edi電壓高

㈠ 西門子EDI模塊產水出水只有8兆歐姆，，電流和電壓都很高，，哪個高手幫忙解決一下

EDI模塊的出水電阻率低可能原因：

1、設備本身線路問題(電源線松動等)

2、運行電壓變化

3、水量高於模塊最大進水量/低於模塊最小進水量

4、進水水質不符合要求

5、模塊堵塞或者結垢

㈡ edi電阻率適合多大電壓電流

壓跟隨器的顯著特點就是，輸入阻抗高，而輸出阻抗低。一般來說，輸入阻抗可以達回到幾兆答歐姆，而輸出阻抗低，通常只有幾歐姆，甚至更低。
在電路中，電壓跟隨器一般做緩沖級(buffer)及隔離級。因為，電壓放大器的輸出阻抗一般比較高，通常在幾千歐到幾十千歐，如果後級的輸入阻抗比較小，那麼信號就會有相當的部分損耗在前級的輸出電阻中。在這個時候，就需要電壓跟隨器進行緩沖。起到承上啟下的作用。電壓跟隨器還可以提高輸入阻抗，可以大幅度減小輸入電容的大小，為應用高品質的電容

㈢ 您好，請問EDI電壓升高，電流不變有哪些原因造成的

您好！根據歐姆定律U=IR，說明EDI膜堆內阻增加了，導致電壓升高。EDI膜堆內阻升高的原因是受到污染或結垢，可以採用離線化學清洗（酸鹼清洗）的方式恢復其性能。

㈣ 為什麼超純水設備EDI的電壓會不斷升高，有400伏，之前只有50V左右。到底離子交換樹脂出了什麼問題

首先要說明的是EDI系統隨著運行時間的延長，電壓是會逐步升高的。一般電壓超過600伏的時候，就應該停用檢修維護，因為模塊因高電壓而發熱，將樹脂燒壞。

引起電壓不斷升高的原因：

1）如果一開始投用，短時間內就出現電壓快速升高的現象，那麼你首先得去檢查樹脂的裝填量是否到位，如果裝填量不夠，那麼就會出現空穴，會出現電壓不斷升高，而電流卻沒有的現象；

2）如果是長時間使用後出現電壓不斷升高，原因一般是因為電離水對樹脂的再生速度與樹脂交換離子釋放的速度不能同步，可以理解為水電離生成的H＋與OH－沒來得及再生失效態的樹脂引起的。

3）國產EDI和進口EDI系統的區別就是國產設備的運行時間較短，出水指標偏低而且不夠穩定。維護周期比進口設備要提前。

(4)edi電壓高擴展閱讀：

EDI模塊的污染主要分為硬度、金屬氧化物、有機物和生物污染四種。若發現EDI模塊壓差增大、產水，濃水或極化水流量減小、電壓增大或產水水質降低，則預示著EDI模塊可能產生了污染。

產水電阻率低原因分析

1、可以分析如下運行情況：各模塊的平均電流；各模塊的實際電流；淡水室和濃水室的壓力；流量過低；運行情況隨時間變化的趨勢。

2、可以分析檢測儀表：電極常數；校驗；溫度補償；探頭接線；儀表接地；取樣流經探頭的流量太小而導致取樣很差。

3、可以分析進水以下參數：電導率；pH；CO2；硅含量；硬度；檢查反滲透設備情況；對水質作實驗室分析。

產水電導率大於進水電導率原因

1、一個或多個模塊電極反向：濃水室反向進入淡水室；立即停止EDI系統運，並檢測原因。

2、濃水室壓力大於淡水室壓力。

3、電流增加，產水水質反而下降原因。

㈤ edi膜堆電流過高,電壓156v

1：樹脂受到了污染
2：EDI進水不符合要求

解決辦法：如果電壓持續升高，有可能會損傷極板跟膜片。請即時維修！

㈥ EDI電流3A時，正常電壓應該在多少

要看你用的是什麼型號咯！不同的EDI會有不同的參數，如下：
型號 電壓版


CP-500 60
權
CP-1000 120

CP-2000 240

CP-3000 330

㈦ EDI再生時電壓、電流對其各有什麼影響進水電導對其有什麼影響

影響EDI的八個主要因素及控制手段9
日期：2011-06-20

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EDI系統,EDI裝置,離子交換,樹脂

影響EDI系統運行的主要因素

(1)EDI進水電導率的影響。在相同的操作電流下，隨著原水電導率的增加EDI對弱電解質的去除率減小，出水的電導率也增加[3]。如果原水電導率低則離子的含量也低，而低濃度離子使得在淡室中樹脂和膜的表面上形成的電動勢梯度也大，導致水的解離程度增強，極限電流增大，產生的H+和OH-的數量較多，使填充在淡室中的陰、陽離子交換樹脂的再生效果良好。

(2)工作電壓-電流的影響。工作電流增大，產水水質不斷變好。但如果在增至最高點後再增加電流，由於水電離產生的H+和OH-離子量過多，除用於再生樹脂外，大量富餘離子充當載流離子導電，同時由於大量載流離子移動過程中發生積累和堵塞，甚至發生反擴散，結果使產水水質下降。

(3)濁度、污染指數（SDI）的影響。EDI組件產水通道內填充有離子交換樹脂，過高的濁度、污染指數會使通道堵塞，造成系統壓差上升，產水量下降。

(4)硬度的影響。如果EDI中進水的殘存硬度太高，會導致濃縮水通道的膜表面結垢，濃水流量下降，產水電阻率下降；影響產水水質，嚴重時會堵塞組件濃水和極水流道，導致組件因內部發熱而毀壞。

(5)TOC（總有機碳）的影響。進水中如果有機物含量過高，會造成樹脂和選擇透過性膜的有機污染，導致系統運行電壓上升，產水水質下降。同時也容易在濃縮水通道形成有機膠體，堵塞通道。
(6)Fe、Mn等金屬離子的影響。Fe、Mn等金屬離子會造成樹脂的「中毒」。樹脂的金屬「中毒」會造成EDI出水水質的迅速惡化，尤其是硅的去除率迅速下降。另外變價屬對離子交換樹脂的氧化催化作用，會造成樹脂的永久性損傷。

(7)進水中CO2的影響。進水中CO2生成的HCO3-是弱電解質，容易穿透離子交換樹脂層而造成產水水質下降。

(8)總陰離子含量（TEA）的影響。高的TEA將會降低EDI產水電阻率，或需要提高EDI運行電流，而過高的運行電流會導致系統電流增大，極水余氯濃度增大，對極膜壽命不利。
另外，進水溫度、pH值、SiO2以及氧化物亦對EDI系統運行有影響。

系統進水水質指標控制手段

(1)進水電導率的控制。嚴格控制前處理過程中的電導率，使EDI進水電導率小於40μS/cm，可以保證出水電導率合格以及弱電解質的去除。

(2)工作電壓-電流的控制。系統工作時應選擇適當的工作電壓-電流。同時由於EDI凈水設備的電壓-電流曲線上存在一個極限電壓-電流點的位置，與進水水質、膜及樹脂的性能和膜對結構等因素有關[4]。為使一定量的水電離產生足夠量H+和OH-離子來再生一定量的離子交換樹脂，選定的EDI凈水設備的電壓-電流工作點必須大於極限電壓-電流點。

(3)進水CO2的控制。可在RO前加鹼調節pH，最大限度地去除CO2，也可用脫氣塔和脫氣膜去除CO2。

(4)進水硬度的控制。可結合除CO2，對RO進水進行軟化、加鹼；進水含鹽量高時，可結合除鹽增加一級RO或納濾。

(5)TOC的控制。結合其他指標要求，增加一級RO來滿足要求。

(6)濁度、污染指數的控制。濁度、污染指數是RO系統進水控制的主要指標之一，合格的RO出水一般都能滿足EDI的進水要求。

(7)Fe的控制。運行中控制EDI進水的Fe低於0.01
mg/L。如果樹脂已經發生了「中毒」，可以用酸溶液作復甦處理，效果比較好[5]。

3.3 EDI系統進水水質要求
綜合以上各方面的分析，對於EDI進水的水質要求如表所示，可以保證其出水指標達到電子行業半導體製造需要的高純水的要求。

表EDI進水水質要求表

TEA(以CaCO3計，含CO2)/mg?L-1<25 pH值5~9總硬度(以CaCO3計)/mg?L-<1溫度/℃15~25TOC/mg?L-1<0.5餘氯/mg?L-1<0.05Fe、Mn、H2S/mg?L
-1<0.01 O3/mg?L-1<0.02電導率(25℃)/μS?cm
-140~2 SiO2/mg?L-1<0.5

(1)EDI進水電導率的影響。在相同的操作電流下，隨著原水電導率的增加EDI對弱電解質的去除率減小，出水的電導率也增加[3]。如果原水電導率低則離子的含量也低，而低濃度離子使得在淡室中樹脂和膜的表面上形成的電動勢梯度也大，導致水的解離程度增強，極限電流增大，產生的H+和OH-的數量較多，使填充在淡室中的陰、陽離子交換樹脂的再生效果良好。

(2)工作電壓-電流的影響。工作電流增大，產水水質不斷變好。但如果在增至最高點後再增加電流，由於水電離產生的H+和OH-離子量過多，除用於再生樹脂外，大量富餘離子充當載流離子導電，同時由於大量載流離子移動過程中發生積累和堵塞，甚至發生反擴散，結果使產水水質下降。

(3)濁度、污染指數（SDI）的影響。EDI組件產水通道內填充有離子交換樹脂，過高的濁度、污染指數會使通道堵塞，造成系統壓差上升，產水量下降。

(4)硬度的影響。如果EDI中進水的殘存硬度太高，會導致濃縮水通道的膜表面結垢，濃水流量下降，產水電阻率下降；影響產水水質，嚴重時會堵塞組件濃水和極水流道，導致組件因內部發熱而毀壞。

(5)TOC（總有機碳）的影響。進水中如果有機物含量過高，會造成樹脂和選擇透過性膜的有機污染，導致系統運行電壓上升，產水水質下降。同時也容易在濃縮水通道形成有機膠體，堵塞通道。
(6)Fe、Mn等金屬離子的影響。Fe、Mn等金屬離子會造成樹脂的「中毒」。樹脂的金屬「中毒」會造成EDI出水水質的迅速惡化，尤其是硅的去除率迅速下降。另外變價屬對離子交換樹脂的氧化催化作用，會造成樹脂的永久性損傷。

(7)進水中CO2的影響。進水中CO2生成的HCO3-是弱電解質，容易穿透離子交換樹脂層而造成產水水質下降。

(8)總陰離子含量（TEA）的影響。高的TEA將會降低EDI產水電阻率，或需要提高EDI運行電流，而過高的運行電流會導致系統電流增大，極水余氯濃度增大，對極膜壽命不利。
另外，進水溫度、pH值、SiO2以及氧化物亦對EDI系統運行有影響。

系統進水水質指標控制手段

(1)進水電導率的控制。嚴格控制前處理過程中的電導率，使EDI進水電導率小於40μS/cm，可以保證出水電導率合格以及弱電解質的去除。

(2)工作電壓-電流的控制。系統工作時應選擇適當的工作電壓-電流。同時由於EDI凈水設備的電壓-電流曲線上存在一個極限電壓-電流點的位置，與進水水質、膜及樹脂的性能和膜對結構等因素有關[4]。為使一定量的水電離產生足夠量H+和OH-離子來再生一定量的離子交換樹脂，選定的EDI凈水設備的電壓-電流工作點必須大於極限電壓-電流點。

(3)進水CO2的控制。可在RO前加鹼調節pH，最大限度地去除CO2，也可用脫氣塔和脫氣膜去除CO2。

(4)進水硬度的控制。可結合除CO2，對RO進水進行軟化、加鹼；進水含鹽量高時，可結合除鹽增加一級RO或納濾。

(5)TOC的控制。結合其他指標要求，增加一級RO來滿足要求。

(6)濁度、污染指數的控制。濁度、污染指數是RO系統進水控制的主要指標之一，合格的RO出水一般都能滿足EDI的進水要求。

(7)Fe的控制。運行中控制EDI進水的Fe低於0.01
mg/L。如果樹脂已經發生了「中毒」，可以用酸溶液作復甦處理，效果比較好[5]。

3.3 EDI系統進水水質要求
綜合以上各方面的分析，對於EDI進水的水質要求如表所示，可以保證其出水指標達到電子行業半導體製造需要的高純水的要求。

表EDI進水水質要求表

TEA(以CaCO3計，含CO2)/mg?L-1<25 pH值5~9總硬度(以CaCO3計)/mg?L-<1溫度/℃15~25TOC/mg?L-1<0.5餘氯/mg?L-1<0.05Fe、Mn、H2S/mg?L
-1<0.01 O3/mg?L-1<0.02電導率(25℃)/μS?cm
-140~2 SiO2/mg?L-1<0.5

㈧ EDI再生時電壓，電流對其各有什麼影響

在極化電流以內，電流越高再生越快，電壓影響不大，30-200伏都可以。

㈨ 純水EDI在運行時電壓高或低是怎麼回事

EDI是根據電流控制的，而電壓是根據電流設定進行調節的，通常情況下在設定電流下電壓越低越好，而根據進水水質變化，膜污染狀況，濃水循環側的電導率都會影響到實際的電流，所以電壓會波動

㈩ 脫鹽水EDI電流不變電壓突然高什麼原因

脫鹽水1 dl電流不變，電壓突然變高的話，這是因為它的變穩壓器已經壞掉了