⑴ 電容去離子是個神馬
超級來電容是通過物理原理做的源電池，而二次電池多是用化學原理做的化學電池。所以兩者本質上就是兩回事，一個是物理上的電荷轉移，一個是把化學能轉變成電能。 使用上，超級電容內阻更小，所以瞬間放出的電流可以更大。
⑵ 半導體製造對去離子水的要求
可以飲用，但必須確保是去離子水而不是無色無味的化學葯液。
帶RO反滲膜的家用凈水機和超市賣的不添加氯化鎂/鈣的純凈水其實就是去離子水。半導體工廠的去離子水和超市裡的純凈水都是經過反滲膜過濾的去離子水，不過半導體工廠的去離子水雜質和離子去除率更高。
長期大量喝純凈水/去離子水會導致礦物質缺乏，如缺鈣，但不是很嚴重，食物里還是含有很多礦物質。
據說很多實驗室會用某哈哈純凈水代替去離子水，效果不錯，雜質少離子少，價格比專門買去離子水便宜很多。
半導體從業者對晶元都有一定程度的了解，但我相信除了在晶圓廠的人外，很少有人對工藝流程有深入的了解。在這里我來給大家做一個科普。首先要做一些基本常識科普：半導體元件製造過程可分為前段製程（包括晶圓處理製程、晶圓針測製程）；還有後段（包括封裝、測試製程）。
零、概念理解 所謂晶圓處理製程，主要工作為在硅晶圓上製作電路與電子元件（如電晶體、電容體、邏輯閘等），為上述各製程中所需技術最復雜且資金投入最多的過程 ，以微處理器（Microprocessor）為例，其所需處理步驟可達數百道，而其所需加工機台先進且昂貴，動輒數千萬一台，其所需製造環境為為一溫度、濕度與 含塵（Particle）均需控制的無塵室（Clean-Room），雖然詳細的處理程序是隨著產品種類與所使用的技術有關；不過其基本處理步驟通常是晶圓先經過適 當的清洗（Cleaning）之後，接著進行氧化（Oxidation）及沈積，最後進行微影、蝕刻及離子植入等反覆步驟，以完成晶圓上電路的加工與製作。
晶圓針測製程則是在製造好晶圓之後，晶圓上即形成一格格的小格 ，我們稱之為晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圓上皆製作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圓 上製作不同規格的產品；這些晶圓必須通過晶片允收測試，晶粒將會一一經過針測（Probe）儀器以測試其電氣特性， 而不合格的的晶粒將會被標上記號（Ink Dot），此程序即 稱之為晶圓針測製程（Wafer Probe）。然後晶圓將依晶粒 為單位分割成一粒粒獨立的晶粒。
IC封裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成集成電路；目的是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。而後段的測試則是對封裝好的晶元進行測試，以保證其良率。
⑶ 電容去離子技術缺點
成本高。電容去離子技術缺點是成本高，由於電容去離子技術是利用電極吸附離子進行金屬離子的去除，因此必須定期進行脫附處理以保證電極的清潔，使得電容去離子模塊存在吸附和脫附兩個工作模式。
⑷ 影響電容去離子脫鹽性能的最主要因素
電極材料。
極材料的孔徑分布、比表面積、比電容和電阻等對電容吸附效果都有影響。在吸脫附離子過程中，施加的電壓不能太高，不超過2V。以活性炭為活性吸附材料，分別選取石墨、碳納米管和炭黑作為導電劑制備電極，深入探究了3種導電劑及其摻雜量對電容去離子脫鹽性能的影響。實驗結果表明，摻雜適量炭黑和碳納米管能顯著提升電極的吸附容量、脫鹽速度及降低脫鹽能耗。活性炭與炭黑質量比為8∶1時，電極吸附容量可達15.84。