矽片清洗超純水

㈠ 超聲波清洗機能清洗矽片嗎

可以的。

隨著半導體材料技術的發展，對矽片的規格和質量也提出更高的要求，適合微細加工的大直徑矽片在市場的需求比例將日益加大。半導體,晶元,集成電路,設計,版圖,晶元,製造,工藝目前世界普遍採用先進的切、磨、拋和潔凈封裝工藝，使製片技術取得明顯進展。最新尖端技術的導入，使SOI等高功能晶片的試制開發也進入批量生產階段。對此，矽片生產廠家也增加了對300mm矽片的設備投資，針對設計規則的進一步微細化。利用超聲波清洗技術，在清洗過程中超聲波頻率在合理的范圍內往復掃動，帶動清洗液形成細微迴流，使工件污垢在被超聲剝離的同時迅速帶離工件表面，提高清洗效率。

超聲波清洗方法及其放置方向

將被洗研磨矽片水平狀放置在清洗槽底部上方柵欄狀的石英棒框架上，在確保清洗槽內具有去離子水高度並不斷流動的條件下，利用設在清洗槽底部的超聲波振子進行清洗，超聲波頻率為40KHz，每5分鍾將研磨矽片翻一個面，連續超洗至被超洗的研磨矽片表面沒有黑色污染物冒出止。超聲波清洗單晶矽片裝置清洗槽的槽壁上設有進水口和出水口，槽底部下方設有超聲波振子，清洗槽槽內設有一擱置單晶矽片的框架，框架底壁為柵欄狀的石英棒形成的平面低於去離子水水平面，整個框架由支撐腳支撐在清洗槽內。

具體實施時，石英棒距離清洗槽的底壁為15厘米。清洗時，單晶矽片可以平置在石英棒上，將現有的豎超洗改成平超洗，消除了單晶矽片在豎超洗狀態下，污染物會殘留堆積在矽片表面，形成局部區域清洗不幹凈，以及承載矽片的軟體花籃會吸附和阻擋掉超聲波源的傳遞，從而造成矽片表面局部區域清洗不幹凈的現象，具有結構更簡單、用水量大大減少的優點。

採用超聲波清洗機的優點

1、採用了真空脫氣技術有效去除液體中氣體，且運用拋動功能，增強超聲對工件表面油污和污垢的清洗能力，縮短清洗時間;

2、洗籃設計轉動機構重疊不可分拆的零件或形狀復雜的零件，也可做到均勻完整的清洗;

3、減壓真空系統能吸出盲孔、縫隙及疊加零件之間的空氣，使超聲波在減壓的狀態下產生

4、真空蒸汽清洗+真空乾燥系統利用蒸汽洗凈做養護，完美實現清洗效果;

5、蒸汽清洗、乾燥及清洗液加熱的全過程在減壓真空中進行，更有效地確保了安全性;

6、防爆配件及簡潔加熱系統，進一步提高安全度;

7、加熱溫度自動可調;

8、設有安全保險裝置;

9、超聲輸出頻率可根據不同工作情況進行微調.

㈡ 矽片是如何和清洗的

1. 清洗矽片並准備掩膜：
1）濃H2SO4/H2O2=3﹕1，15min（配1次洗液可以用1周；H2O2 30%）；
2）打開電熱板調至200℃；掩膜准備；
2. 超純水清洗矽片；
注釋：用鑷子夾著矽片，不能使矽片放干；
3. 無水乙醇清洗矽片，1min（搖動或超聲），不用水洗！
4. 丙酮清洗矽片，1min（搖動或超聲）；
5. 超純水清洗；
6. 吸水紙吸取邊緣水分（勿放於吸水紙上）；
7. 用鑷子夾住矽片，氮氣吹乾或者放在200℃電熱板上方（不能接觸），待徹底干後，放在電熱板上5min；

㈢ 矽片清洗工藝

矽片臟了需要清洗，清洗的目的在於清除表面污染雜質，包括有機物和無機物。這些雜質有的以原子狀態或離子狀態，有的以薄膜形式或顆粒形式存在於矽片表面。會導致各種缺陷。下面我們來看看矽片清洗工藝。

一、物理清洗：物理清洗有三種方法。①刷洗或擦洗:可除去顆粒污染和大多數粘在片子上的薄膜。②高壓清洗：是用液體噴射片子表面，噴嘴的壓力高達幾百個大氣壓。高壓清洗靠噴射作用，片子不易產生劃痕和損傷。但高壓噴射會產生靜電作用，靠調節噴嘴到片子的距離、角度或加入防靜電劑加以避免。③超聲波清洗：超聲波聲能傳入溶液,靠氣蝕作用洗掉片子上的污染。但是,從有圖形的片子上除去小於 1微米顆粒則比較困難。將頻率提高到超高頻頻段，清洗效果更好。

二、化學清洗。化學清洗方法較多,有溶劑萃取、酸洗（硫酸、硝酸、王水、各種混合酸等）和等離子體法等。其中雙氧水體系清洗方法效果好，環境污染小。一般方法是將矽片先用成分比為H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的強氧化性,將有機物分解而除去；用超純水沖洗後,再用成分比為H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的鹼性清洗液清洗,由於H2O2的氧化作用和NH4OH的絡合作用，許多金屬離子形成穩定的可溶性絡合物而溶於水；然後使用成分比為H2O:H2O2:HCL=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液，由於H2O2的氧化作用和鹽酸的溶解，以及氯離子的絡合性，許多金屬生成溶於水的絡離子，從而達到清洗的目的。

㈣ 矽片清洗超純水設備廠家，哪家質量好

LTLD矽片清洗超來純水設源備性能優勢：
1、矽片清洗超純水設備中反滲透系統採用全自動方式控制，主要元件採用進口元件，穩定性高，操作簡單方便。
2、矽片清洗超純水設備使用專用濃水調節閥，操作方便。
3、矽片清洗超純水設備配備有紫外線及膜濾器，防止細菌對EDI及水質的影響。
4、矽片清洗超純水設備通過專業技術，確保EDI系統短時停機或長時間停機時水質保持穩定。
5、矽片清洗超純水設備採用原裝進口EDI膜堆，性能穩定，使用壽命長，連續出水水質穩定無波動，專利「全填充」濃水室，不需加鹽和濃水循環。
6、矽片清洗超純水設備中的EDI流量計採用帶磁感應浮子流量計，可預防因濃水通道堵塞或其他設備故障引起的無濃水產水而對膜堆造成的損壞。
7、矽片清洗超純水設備具有無水保護和高、低壓力保護等多種裝置安全功能。
8、矽片清洗超純水設備所有控制採用全自動方式，主要元件採用進口元件，穩定性高，操作簡單方便。

㈤ 矽片清洗劑有什麼作用

矽片清洗劑是針對性去除矽片表面的顆粒、有機物、金屬離子等污染物的水基清洗劑，清洗劑中的活性物質可以吸附在矽片表面，使其長期處於易清洗的物理吸附狀態，並在表面形成保護層，防止顆粒的二次吸附，能有效提高外延或擴散工序的成品率。

㈥ 矽片清洗超純水設備用的儀表，有什麼

給水電導率表可設置報警，從給水電導率和產品水電導率可估計出RO的脫鹽率。
3、壓力表
出水壓力表、給水壓力表、排水壓力表用於計算設備的每一段壓降，對產水量和鹽透率維持穩定起到重要作用。

㈦ 清洗矽片的順序

太陽能矽片表面等離子體清洗工藝

矽片表面殘留顆粒的等離子體清洗方法，它包括以下步驟：首先進行氣體沖洗流程，然後進行該氣體等離子體啟輝。 去除矽片表面顆粒的等離子體清洗方法過程式控制制容易，清洗徹底，無反應物殘留，所霈工藝氣體無毒，成本低，勞動量小，工作效率高。

等離子矽片清洗條件參數：
1、矽片表面殘留顆粒的等離子體清洗方法，它包括以下步驟：首先進行氣體沖洗流程，然後進行該氣體等離子體啟輝；所用氣體選自02、Ar、N2中的任一種；氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-40毫托，工藝氣體流量100-500sccm，時間1-5s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力1040毫托，工藝氣體流量100-500sccm，上電極功率250-400W，時間1-10s。
2、如1所述的等離子體清洗方法，其特徵在於所用氣體為02。
3、等離子體清洗方法，其特徵在於氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，時間3s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，上電極功率300W，時間Ss。
4、等離子體清洗方法，其特徵在於氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，時間1-5s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，上電極功率250-400W，時閭1-5s。
5、等離子體清洗方法，其特徵在於氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，時間3s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，上電極功率300W，時間Ss

說 明 書

等離子清洗涉及刻蝕工藝領域，並且完全滿足去除刻蝕工藝後矽片表面殘
留顆粒的清洗。
背景技術
在刻蝕過程中，顆粒的來源很多：刻蝕用氣體如Cl2、HBr、CF4等都具有腐蝕性，刻蝕結束後會在矽片表面產生一定數量的顆粒；反應室的石英蓋也會在等離子體的轟擊作用下產生石英顆粒；反應室內的內襯( liner)也會在較長時間的刻蝕過程中產生金屬顆粒。刻蝕後矽片表面殘留的顆粒會阻礙導電連接，導致器件損壞。因此，在刻蝕工藝過程中對顆粒的控制很重要。
目前，常用的去除矽片表面顆粒的方法有兩種：一種是標准清洗( RCA)清洗技術，另一種是用矽片清洗機進行兆聲清洗。RCA清洗技術所用清洗裝置大多是多槽浸泡式清洗系統。其清洗工序為：一號液( SC-1)(NH40H+H202)—，稀釋的HF(DHF)(HF+H20)—，二號液( SC-2)(HCl+ H202)。其中，SC．1主要是去除顆粒沾污（粒子），也能去除部分金屬雜質。去除顆粒的原理為：矽片表面由於H202氧化作用生成氧化膜（約6nm，呈親水性），該氧化膜又被NH40H腐蝕，腐蝕後立即發生氧他，氧化和腐蝕反復進行，附著在矽片表面的顆粒也隨腐蝕層而落入清洗液內。自然氧化膜約0.6nm厚，與NH40H和H202的濃度及清洗液溫度無關。SC-2是用H202和HCL的酸性溶液，它具有極強的氧化性和絡合性，能與未被氧化的金屬作用生成鹽，並隨去離子水沖洗而被去除，被氧化的金屬離子與CL-作用生成的可溶性絡合物亦隨去離子水沖洗而被去除。RCA清洗技術存在以下缺陷：需要人工操作，勞動量大，操作環境危險；工藝復雜，清洗時間長，生產效率低；清洗溶劑長期浸泡容易對矽片過腐蝕或留下水痕，影響器件性能；清洗劑和超凈水消耗量大，生產成本高；去除
粒子效果較好，但去除金屬雜質Al、Fe效果欠佳。
用矽片清洗機進行兆聲清洗是將矽片吸附在靜電卡盤( chuck)上，清洗過程中矽片不斷旋轉，清洗液噴淋在矽片表面。可以進行不同轉速和噴淋時間的設置，連續完成多步清洗步驟。典型工藝為：兆聲_氨水+雙氧水（可以進行加溫）_水洗_鹽酸+雙氧水-水洗_兆聲一甩干。
用矽片清洗機進行兆聲清洗的缺陷表現為：只能進行單片清洗，單片清洗時間長，導致生產效率較低；清洗劑和超凈水消耗量大，生產成本高。

等離子清洗矽片表面顆粒原理：
等離子體清洗方法的原理為：依靠處於「等離子態」的物質的「活化作用，，達到去除物體表面顆粒的目的。它通常包括以下過程：a．無機氣體被激發到等離子態；b．氣相物質被吸附在固體表面；c．被吸附基團與固體表面分子反應生成產物分子；d．產物分子解析形成氣相；e．反應殘余物脫離表面。
等離子體清洗方法，它包括以下步驟：首先進行氣體沖洗（purge）流程，然後進行該氣體等離子體啟輝。
所用工藝氣體選自02、Ar、N2中的任一種。優選地，所用工藝氣體選
02。
以上所述的等離子體清洗方法，氕體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-40毫托，工藝氣體流量100-500sccm，時間1-5s；啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力10-40毫托，工藝氣體流量100-500sccm，上電極功率250-400W，時間1-10s。
優選地，氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，時間1-5s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，上電極功率250-400W，時間1.Ss。
更優選地，氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，時間3s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，上電極功率300W，時間Ss。
等離子清洗矽片後效果：
本發明所述的去除矽片表面顆粒的等離子體清洗方法過程式控制制容易，清洗徹底，無反應物殘留，所需工藝氣體無毒，成本低，勞動量小，工作效率高。
附圖說明
圖1等離子體清洗前後的CD-SEM（關鍵尺寸量測儀器）圖片；
其中，CD: Criticaldimension關鍵尺寸。
圖2等離子體清洗前後的FE-SEM（場發射顯微鏡）圖片；
其中，FE: field emission場發射。
圖3等離子體清洗前後的particle（粒子）圖片。
在進行完BT（break through自然氧化層去除步驟）、ME（Main Etch主刻步驟）、OE（過刻步驟）的刻蝕過程後，立即在ICP等離子體刻蝕機( PM2)中進行以下氣體等離子體沖洗和啟輝流程：首先，進行02的清洗過程，去除上一步的殘留氣體，腔室壓力設置為15毫托，02流量為300sccm，通氣時間為3s;然後，進行含有02的啟輝過程：腔室壓力設置為15毫托，02流量為300sccm，上RF的功率設置為300W．啟輝時間為Ss。
採用本工藝有效去除了刻蝕工藝後矽片表面殘留的顆粒。
在進行完BT、ME、OE的刻蝕過程後，立即在ICP等離子體刻蝕機( PM2)中進行以下氣體等離子體沖洗和啟輝流程：首先，進行Ar的清洗過程，去除上一步的殘留氣體，腔室壓力設置為10毫托，Ar流量為100sccm，通氣時間為Ss;然後，進行含有Ar的啟輝過程：腔室壓力設置為10毫托，Ar流量為100sccm，上RF的功率設置為400W，啟輝時間為10s。
採用本工藝有效去除了刻蝕工藝後矽片表面殘留的顆粒。
在進行完BT、ME、OE的刻蝕過程後，立即在ICP等離子體刻蝕機( PM2)中進行以下氣體等離子體沖洗和啟輝流程：首先，進行N2的清洗過程，去除上一步的殘留氣體，腔室壓力設置為40毫托，N2流量為500sccm，通氣時間為Ss;然後，進行含有N2的啟輝過程：腔室壓力設置為40毫托，N2流量為500sccm，上RF的功率設置為250W，啟輝時間為10s。
採用本工藝有效去除了刻蝕工藝後矽片表面殘留的顆粒。
南京世鋒科技等離子研究中心 QQ283加5883加29

㈧ 超純水系統設備的主要用途有哪些

超純抄水系統設備應用領域

1、電子、電力、電鍍、照明電器、實驗室、食品、造紙、日化、建材、造漆、蓄電池、化驗、生物、制葯、石油、化工、鋼鐵、玻璃等領域。

2、化工工藝用水、化學葯劑、化妝品等用純水。

3、單晶硅、半導體晶片切割製造、半導體晶元、半導體封裝、引線櫃架、集成電路、液晶顯示器、導電玻璃、顯像管、線路板、光通信、電腦元件、電容器潔凈產品及各種元器件等生產工藝用純水。

4、食品工業用水、飲用純凈水、礦泉水、資料、啤酒、乳業等。

5、海水、苦鹹水淡化：海島、艦船、高鹽鹼地區生活用水改善。

6、樓宇、社區優質供水:星級賓館、機場、房產物業純水網路系統等。

7、化工行業工藝用水：化工冷卻、化肥、化學葯劑製造。

8、工業產品製造用水：汽車、家電塗裝、塗料、油漆、精細加工清洗等。

9、電力行業鍋爐補給水、熱力、火力發電鍋爐、中、低壓鍋爐動力系統、精細化工、精尖學科用水。

㈨ 太陽能矽片清洗過程中所使用的清洗劑的成分是什麼呢

一般方法是將矽片先用成分比為H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的強氧化性,將有機物分解而除去；用超純水沖洗後,再用成分比為H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的鹼性清洗液清洗,由於H2O2的氧化作用和NH4O

求採納

㈩ 矽片清洗用純水的電導率多少為宜

理想純水(理論上)電導率為0.055 uS/cm，電阻率（25℃）為18.3x106Ω•cm。實際上＜2μS/cm到＜0.1μS/cm的都有，一般沒有太大影響。