純水有機物使矽片

Ⅰ 太陽能矽片清洗過程中所使用的清洗劑的成分是什麼呢

一般方法是將矽片先用成分比為H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的強氧化性,將有機物分解而除去；用超純水沖洗後,再用成分比為H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的鹼性清洗液清洗,由於H2O2的氧化作用和NH4O

求採納

Ⅱ 純水,純化水,超純水有什麼區別

純水,純化水,超純水的區別如下：

1、製造工藝的的難易程度不同。

純水的製作工藝是經過反滲透、蒸餾等方法製得的。

純化水是用水經蒸餾法、離子交換法、反滲透法或其他適宜方法制備得到的制葯用水。

超純水是在純水的基礎上經過光氧化技術、精處理和拋光處理等一系列復雜的純化技術製得的。這樣的水是一般工藝很難達到的程度，理論上可以採用二級反滲透再經過串聯的混合型交換樹脂柱對二次反滲水進行處理，但是交換樹脂的再生不便，質量難以保證。

2、重金屬、細菌、微粒數等指標也大不相同。

純水雜質含量是ppm級，而超純水為ppb級，這種水中除了水分子外，幾乎沒有什麼雜質，更沒有細菌、病毒、含氯二惡英等有機物，當然也沒有人體所需的礦物質微量元素，也就是幾乎去除氧和氫以外所有原子的水。

3、用途不一樣

純水主要應用在生物、 化學化工、冶金、宇航、電力等領域。

純化水一般作為供葯用的水。

超純水一般用於電子、電力、電鍍、照明電器、實驗室、食品、造紙、日化、建材、造漆、蓄電池、化驗、生物、制葯、石油、化工、鋼鐵、玻璃等領域。

4、電導率不同。

純水電導率在 2-10us/cm 之間，純化水電導率≤0.2us/cm，超純水的電導率為 0.056us/cm。

Ⅲ 清洗矽片的順序

太陽能矽片表面等離子體清洗工藝

矽片表面殘留顆粒的等離子體清洗方法，它包括以下步驟：首先進行氣體沖洗流程，然後進行該氣體等離子體啟輝。 去除矽片表面顆粒的等離子體清洗方法過程式控制制容易，清洗徹底，無反應物殘留，所霈工藝氣體無毒，成本低，勞動量小，工作效率高。

等離子矽片清洗條件參數：
1、矽片表面殘留顆粒的等離子體清洗方法，它包括以下步驟：首先進行氣體沖洗流程，然後進行該氣體等離子體啟輝；所用氣體選自02、Ar、N2中的任一種；氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-40毫托，工藝氣體流量100-500sccm，時間1-5s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力1040毫托，工藝氣體流量100-500sccm，上電極功率250-400W，時間1-10s。
2、如1所述的等離子體清洗方法，其特徵在於所用氣體為02。
3、等離子體清洗方法，其特徵在於氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，時間3s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，上電極功率300W，時間Ss。
4、等離子體清洗方法，其特徵在於氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，時間1-5s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，上電極功率250-400W，時閭1-5s。
5、等離子體清洗方法，其特徵在於氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，時間3s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，上電極功率300W，時間Ss

說 明 書

等離子清洗涉及刻蝕工藝領域，並且完全滿足去除刻蝕工藝後矽片表面殘
留顆粒的清洗。
背景技術
在刻蝕過程中，顆粒的來源很多：刻蝕用氣體如Cl2、HBr、CF4等都具有腐蝕性，刻蝕結束後會在矽片表面產生一定數量的顆粒；反應室的石英蓋也會在等離子體的轟擊作用下產生石英顆粒；反應室內的內襯( liner)也會在較長時間的刻蝕過程中產生金屬顆粒。刻蝕後矽片表面殘留的顆粒會阻礙導電連接，導致器件損壞。因此，在刻蝕工藝過程中對顆粒的控制很重要。
目前，常用的去除矽片表面顆粒的方法有兩種：一種是標准清洗( RCA)清洗技術，另一種是用矽片清洗機進行兆聲清洗。RCA清洗技術所用清洗裝置大多是多槽浸泡式清洗系統。其清洗工序為：一號液( SC-1)(NH40H+H202)—，稀釋的HF(DHF)(HF+H20)—，二號液( SC-2)(HCl+ H202)。其中，SC．1主要是去除顆粒沾污（粒子），也能去除部分金屬雜質。去除顆粒的原理為：矽片表面由於H202氧化作用生成氧化膜（約6nm，呈親水性），該氧化膜又被NH40H腐蝕，腐蝕後立即發生氧他，氧化和腐蝕反復進行，附著在矽片表面的顆粒也隨腐蝕層而落入清洗液內。自然氧化膜約0.6nm厚，與NH40H和H202的濃度及清洗液溫度無關。SC-2是用H202和HCL的酸性溶液，它具有極強的氧化性和絡合性，能與未被氧化的金屬作用生成鹽，並隨去離子水沖洗而被去除，被氧化的金屬離子與CL-作用生成的可溶性絡合物亦隨去離子水沖洗而被去除。RCA清洗技術存在以下缺陷：需要人工操作，勞動量大，操作環境危險；工藝復雜，清洗時間長，生產效率低；清洗溶劑長期浸泡容易對矽片過腐蝕或留下水痕，影響器件性能；清洗劑和超凈水消耗量大，生產成本高；去除
粒子效果較好，但去除金屬雜質Al、Fe效果欠佳。
用矽片清洗機進行兆聲清洗是將矽片吸附在靜電卡盤( chuck)上，清洗過程中矽片不斷旋轉，清洗液噴淋在矽片表面。可以進行不同轉速和噴淋時間的設置，連續完成多步清洗步驟。典型工藝為：兆聲_氨水+雙氧水（可以進行加溫）_水洗_鹽酸+雙氧水-水洗_兆聲一甩干。
用矽片清洗機進行兆聲清洗的缺陷表現為：只能進行單片清洗，單片清洗時間長，導致生產效率較低；清洗劑和超凈水消耗量大，生產成本高。

等離子清洗矽片表面顆粒原理：
等離子體清洗方法的原理為：依靠處於「等離子態」的物質的「活化作用，，達到去除物體表面顆粒的目的。它通常包括以下過程：a．無機氣體被激發到等離子態；b．氣相物質被吸附在固體表面；c．被吸附基團與固體表面分子反應生成產物分子；d．產物分子解析形成氣相；e．反應殘余物脫離表面。
等離子體清洗方法，它包括以下步驟：首先進行氣體沖洗（purge）流程，然後進行該氣體等離子體啟輝。
所用工藝氣體選自02、Ar、N2中的任一種。優選地，所用工藝氣體選
02。
以上所述的等離子體清洗方法，氕體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-40毫托，工藝氣體流量100-500sccm，時間1-5s；啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力10-40毫托，工藝氣體流量100-500sccm，上電極功率250-400W，時間1-10s。
優選地，氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，時間1-5s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力10-20毫托，工藝氣體流量100-300sccm，上電極功率250-400W，時間1.Ss。
更優選地，氣體沖洗流程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，時間3s;啟輝過程的工藝參數設置為：腔室壓力15毫托，工藝氣體流量300sccm，上電極功率300W，時間Ss。
等離子清洗矽片後效果：
本發明所述的去除矽片表面顆粒的等離子體清洗方法過程式控制制容易，清洗徹底，無反應物殘留，所需工藝氣體無毒，成本低，勞動量小，工作效率高。
附圖說明
圖1等離子體清洗前後的CD-SEM（關鍵尺寸量測儀器）圖片；
其中，CD: Criticaldimension關鍵尺寸。
圖2等離子體清洗前後的FE-SEM（場發射顯微鏡）圖片；
其中，FE: field emission場發射。
圖3等離子體清洗前後的particle（粒子）圖片。
在進行完BT（break through自然氧化層去除步驟）、ME（Main Etch主刻步驟）、OE（過刻步驟）的刻蝕過程後，立即在ICP等離子體刻蝕機( PM2)中進行以下氣體等離子體沖洗和啟輝流程：首先，進行02的清洗過程，去除上一步的殘留氣體，腔室壓力設置為15毫托，02流量為300sccm，通氣時間為3s;然後，進行含有02的啟輝過程：腔室壓力設置為15毫托，02流量為300sccm，上RF的功率設置為300W．啟輝時間為Ss。
採用本工藝有效去除了刻蝕工藝後矽片表面殘留的顆粒。
在進行完BT、ME、OE的刻蝕過程後，立即在ICP等離子體刻蝕機( PM2)中進行以下氣體等離子體沖洗和啟輝流程：首先，進行Ar的清洗過程，去除上一步的殘留氣體，腔室壓力設置為10毫托，Ar流量為100sccm，通氣時間為Ss;然後，進行含有Ar的啟輝過程：腔室壓力設置為10毫托，Ar流量為100sccm，上RF的功率設置為400W，啟輝時間為10s。
採用本工藝有效去除了刻蝕工藝後矽片表面殘留的顆粒。
在進行完BT、ME、OE的刻蝕過程後，立即在ICP等離子體刻蝕機( PM2)中進行以下氣體等離子體沖洗和啟輝流程：首先，進行N2的清洗過程，去除上一步的殘留氣體，腔室壓力設置為40毫托，N2流量為500sccm，通氣時間為Ss;然後，進行含有N2的啟輝過程：腔室壓力設置為40毫托，N2流量為500sccm，上RF的功率設置為250W，啟輝時間為10s。
採用本工藝有效去除了刻蝕工藝後矽片表面殘留的顆粒。
南京世鋒科技等離子研究中心 QQ283加5883加29

Ⅳ 工業生產中為什麼要用純水清洗材料

edi水處理模塊是超純水裝置中重要組成部分，制水純度的高低直接受到離子水設備edi膜塊運行狀態的影響，所以必須對EDI膜塊進行定期維護清洗，確保設備長期穩定運行。
超純水edi清洗操作流程概述
獨立循環清洗程序
1、排空清洗系統。
2、若是使用直通清洗方法，則不能在開始清洗之前或在清洗步驟之間排空 EDI系統(如果已工作超過一個步驟)。若是使用再循環清洗方法，則在開始清洗之前或在清洗過程中排空EDI系統(如果已工作超過一個步驟)。
3、通過關閉 EDI系統淡水進口，淡水出口，淡水沖洗出口，濃水排放，及極水出口閥將 EDI系統與上游及下游隔離開。
4、通過關閉濃水進口隔離閥來將濃水管線與淡水和極水管線隔離開。
edi超純水處理設備清洗程序
清洗程序 1: 濃水管線清洗及消毒。
清洗程序 2: 淡水管線清洗及消毒。
清洗及消毒模式
1、首選清洗模式：直通，逆流(低及 高 pH值都可);再循環(氧化劑)。
2、可選清洗模式: 再循環,或直通,順流(低及高 pH值都可)。
注意: 由於硬度結垢幾乎完全發生在濃水室和極水室，淡水室的低PH清洗並不常用。在極端嚴重結垢或十分混亂的條件下，需要保留淡水室的低PH清洗。
清洗程序 3: 極水管線清洗及消毒。
清洗及消毒模式
1、直通逆流(低及 高 pH值都可)再循環(氧化劑)。
2、可選清洗模式: 再循環,或直通,順流(低及高 pH值都可。

Ⅳ 矽片清洗用純水的電導率多少為宜

理想純水(理論上)電導率為0.055 uS/cm，電阻率（25℃）為18.3x106Ω•cm。實際上＜2μS/cm到＜0.1μS/cm的都有，一般沒有太大影響。

Ⅵ 矽片清洗劑有什麼作用

矽片清洗劑是針對性去除矽片表面的顆粒、有機物、金屬離子等污染物的水基清洗劑，清洗劑中的活性物質可以吸附在矽片表面，使其長期處於易清洗的物理吸附狀態，並在表面形成保護層，防止顆粒的二次吸附，能有效提高外延或擴散工序的成品率。

Ⅶ 實驗室純水機的超純水

純度極高的水。集成電路工業中用於半導體原材料和所用器皿的清洗、光刻掩模版的制備和矽片氧化用的水汽源等。此外，其他固態電子器件、厚膜和薄膜電路、印刷電路、真空管等的製作也都要使用超純水。超純水是指下列雜質含量極低的水：①無機電離雜質,如 Ca、Mg、Na、K、Fe、Fe、Mn、Al、HCO婣、CO婣、SO嬄、Cl、NO娛、NO婣、SiO婣、PO等；②有機物,如烷基苯磺酸、油、有機鐵、有機鋁以及其他碳氫化合物等；③顆粒,如塵埃、氧化鐵、鋁、膠體硅等；④微生物,如細菌、浮游生物和藻類等;⑤溶解氣體, 如N2、O2、CO2、H2S等。超純水中電離雜質的含量用水的電阻率數值來衡量。理論上,純水中只有H離子和OH離子參加導電。在25℃時超純水的電阻率為 18.3(兆歐·厘米)，一般約為15～18（兆歐·厘米）。
超純水中有機物含量由測定有機物碳含量而定，電子工業超純水中規定含量為50～200微克/升,並要求直徑大於1微米的顆粒性物質每1毫升內含量為1～2個，微生物每1毫升為0～10個。現代採用預處理、電滲析、紫外線殺菌、反滲透、離子交換、超濾和各種膜過濾技術等，使超純水的電阻率在25℃時達到18(兆歐·厘米)。
依各種原水水質和用戶要求的不同，超純水的制備工藝大體可分為預超純水處理、脫鹽和精處理三步。 預處理
包括砂濾、多介質過濾、軟化、加氯、調節pH、活性碳過濾、脫氣等。過濾可除去 1～20微米大小的顆粒，軟化和調節pH可防止反滲透膜結垢，加氯是殺菌。活性碳過濾是除去有機物和自由氯，脫氣是清除溶於水中的CO2等。

脫鹽
包括電滲析、反滲透、離子交換。電滲析的原理是在外加直流電場作用下利用陽離子和陰離子交換膜對離子選擇性透過，脫鹽率可達95%以上。反滲透是滲透現象的逆過程,在濃溶液上加壓力,使溶劑從濃溶液一側通過半透膜向稀溶液一側反向滲透，脫鹽可達98%，並能除去99%的細菌顆粒和溶解在水中的有機物。離子交換的原理是當水通過陽離子交換樹脂時，水中的陽離子被陽離子交換樹脂吸附，樹脂上可交換的陽離子如H離子被置換到水中，並和水中的陰離子結合成相應的無機酸，如超純水，這種含有無機酸的水，當下一步通過陰離子交換樹脂層時，水中的陰離子被陰離子交換樹脂吸附。

精處理
樹脂上可交換的陰離子如OH離子被置換到水中,並與水中的H離子結合成水，即超純水精處理 包括紫外線殺菌、終端膜過濾和超濾。紫外線殺菌是因生物體的核酸吸收紫外線光的能量而改變核酸自身結構,破壞核酸功能而使細菌死亡。殺菌最強的光譜波長為2600埃。各種膜過濾能除掉直徑大於 0.2微米的顆粒，但對於清除有機物則不如反滲透和超濾有效。超濾是把各種選擇性的分子分離。在超濾過程中，水在壓力下流過一個卷式或中空纖維膜棒。膜孔徑在10～200埃范圍內,薄膜厚度為0.1～0.5微米,附在一個中孔的纖維棒內壁上，超濾能除去細菌和0.05微米的粒子。