矽片製造純水管路

Ⅰ 超純水系統設備的主要用途有哪些

超純抄水系統設備應用領域

1、電子、電力、電鍍、照明電器、實驗室、食品、造紙、日化、建材、造漆、蓄電池、化驗、生物、制葯、石油、化工、鋼鐵、玻璃等領域。

2、化工工藝用水、化學葯劑、化妝品等用純水。

3、單晶硅、半導體晶片切割製造、半導體晶元、半導體封裝、引線櫃架、集成電路、液晶顯示器、導電玻璃、顯像管、線路板、光通信、電腦元件、電容器潔凈產品及各種元器件等生產工藝用純水。

4、食品工業用水、飲用純凈水、礦泉水、資料、啤酒、乳業等。

5、海水、苦鹹水淡化：海島、艦船、高鹽鹼地區生活用水改善。

6、樓宇、社區優質供水:星級賓館、機場、房產物業純水網路系統等。

7、化工行業工藝用水：化工冷卻、化肥、化學葯劑製造。

8、工業產品製造用水：汽車、家電塗裝、塗料、油漆、精細加工清洗等。

9、電力行業鍋爐補給水、熱力、火力發電鍋爐、中、低壓鍋爐動力系統、精細化工、精尖學科用水。

Ⅱ 矽片後道的主要工序是什麼啊

從多晶硅到單晶硅棒再到切(硅)片這一段是用不到金剛石砂輪的!我們公司就是從事光伏產品的製造! 從多晶硅-單晶硅-切片都做的!

目前超過98％的電子元件材料全部使用單晶硅。其中用CZ法佔了約85％，其他部份則是由浮融法FZ生長法。CZ法生長出的單晶硅，用在生產低功率的集成電路元件。而FZ法生長出的單晶硅則主要用在高功率的電子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半導體工業採用，主要在於它的高氧含量提供了晶片強化的優點。另外一個原因是CZ法比FZ法更容易生產出大尺寸的單晶硅棒。

目前國內主要採用CZ法

CZ法主要設備：CZ生長爐

CZ法生長爐的組成元件可分成四部分

（1）爐體：包括石英坩堝，石墨坩堝，加熱及絕熱元件，爐壁

（2）晶棒及坩堝拉升旋轉機構：包括籽晶夾頭，吊線及拉升旋轉元件

（3）氣氛壓力控制：包括氣體流量控制，真空系統及壓力控制閥

（4）控制系統：包括偵測感應器及電腦控制系統

加工工藝：

加料→熔化→縮頸生長→放肩生長→等徑生長→尾部生長

（1）加料：將多晶硅原料及雜質放入石英坩堝內，雜質的種類依電阻的N或P型而定。雜質種類有硼，磷，銻，砷。

（2）熔化：加完多晶硅原料於石英堝內後，長晶爐必須關閉並抽成真空後充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內，然後打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。

（3）縮頸生長：當硅熔體的溫度穩定之後，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由於籽晶與硅熔體場接觸時的熱應力，會使籽晶產生位錯，這些位錯必須利用縮勁生長使之消失掉。縮頸生長是將籽晶快速向上提升，使長出的籽晶的直徑縮小到一定大小（4-6mm）由於位錯線與生長軸成一個交角，只要縮頸夠長，位錯便能長出晶體表面，產生零位錯的晶體。

（4）放肩生長：長完細頸之後，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。

（5）等徑生長：長完細頸和肩部之後，借著拉速與溫度的不斷調整，可使晶棒直徑維持在正負2mm之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶矽片取自於等徑部分。

（6）尾部生長：在長完等徑部分之後，如果立刻將晶棒與液面分開，那麼效應力將使得晶棒出現位錯與滑移線。於是為了避免此問題的發生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點而與液面分開。這一過程稱之為尾部生長。長完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時間後取出，即完成一次生長周期。

單晶硅棒加工成單晶硅拋光矽片

加工流程：

單晶生長→切斷→外徑滾磨→平邊或V型槽處理→切片

倒角→研磨 腐蝕--拋光→清洗→包裝

切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規格的部分，將單晶硅棒分段成切片設備可以處理的長度，切取試片測量單晶硅棒的電阻率含氧量。

切斷的設備：內園切割機或外園切割機

切斷用主要進口材料：刀片

外徑磨削：由於單晶硅棒的外徑表面並不平整且直徑也比最終拋光晶片所規定的直徑規格大，通過外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。

外徑滾磨的設備：磨床

平邊或V型槽處理：指方位及指定加工，用以單晶硅捧上的特定結晶方向平邊或V型。

處理的設備：磨床及X－RAY繞射儀。

切片：指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶片。

切片的設備：內園切割機或線切割機

倒角：指將切割成的晶片稅利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。

倒角的主要設備：倒角機

研磨：指通過研磨能除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶矽片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規格。

研磨的設備：研磨機（雙面研磨）

主要原料：研磨漿料（主要成份為氧化鋁，鉻砂，水），滑浮液。

腐蝕：指經切片及研磨等機械加工後，晶片表面受加工應力而形成的損傷層，通常採用化學腐蝕去除。

腐蝕的方式：（A）酸性腐蝕，是最普遍被採用的。酸性腐蝕液由硝酸（HNO3），氫氟酸（HF），及一些緩沖酸（CH3COCH，H3PO4）組成。

（B）鹼性腐蝕，鹼性腐蝕液由KOH或NaOH加純水組成。

拋光：指單晶矽片表面需要改善微缺陷，從而獲得高平坦度晶片的拋光。

拋光的設備：多片式拋光機，單片式拋光機。

拋光的方式：粗拋：主要作用去除損傷層，一般去除量約在10－20um；

精拋：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下

主要原料：拋光液由具有SiO2的微細懸硅酸膠及NaOH（或KOH或NH4OH）組成，分為粗拋漿和精拋漿。

清洗：在單晶矽片加工過程中很多步驟需要用到清洗，這里的清洗主要是拋光後的最終清洗。清洗的目的在於清除晶片表面所有的污染源。

清洗的方式：主要是傳統的RCA濕式化學洗凈技術。

主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL

（3）損耗產生的原因

A.多晶硅--單晶硅棒

多晶硅加工成單晶硅棒過程中：如產生損耗是重摻堝底料、頭尾料則無法再利用，只能當成冶金行業如煉鐵、煉鋁等用作添加劑；如產生損耗是非重摻堝底料、頭尾料可利用製成低檔次的硅產品，此部分應按邊角料征稅。

重摻料是指將多晶硅原料及接近飽和量的雜質（種類有硼，磷，銻，砷。雜質的種類依電阻的N或P型）放入石英坩堝內溶化而成的料。

重摻料主要用於生產低電阻率（電阻率＜0.011歐姆／厘米）的矽片。

損耗：單晶拉制完畢後的堝底料約15％。

單晶硅棒整形過程中的頭尾料約20％。

單晶整形過程中（外徑磨削工序）由於單晶硅棒的外徑表面並不平整且直徑也比最終拋光晶片所規定的直徑規格大，通過外徑磨削可以獲得較為精確的直徑。損耗約10％-13％。

希望能對你有幫助!

Ⅲ 矽片清洗用純水的電導率多少為宜

理想純水(理論上)電導率為0.055 uS/cm，電阻率（25℃）為18.3x106Ω•cm。實際上＜2μS/cm到＜0.1μS/cm的都有，一般沒有太大影響。

Ⅳ 半導體超純水設備的價格為何會有很大的差別

當前國內半導體行業應用的超純水設備一般有前端預處理及RO、回EDI提純等工序。

1.根據超純水設答備的材質不同，選用的RO膜的品牌不同以及EDI模塊的噸位及品牌區別，價格上也有很大的差距。

2.其中價格中膜元件及設備材質因素會極大地影響整體設備的價格。

3.具體的加工工藝以及廠家報價也會對價格有所影響。

詳情可見官網：網頁鏈接

Ⅳ 超純水是幹嘛用的

超純水生活中應用的地方比較少，主要是應用於工業領域，如：電子行業；食品行業、建築行業、製造業、日用品行業以及生物、石油、制葯等領域，也可以用於一些電子產品的清洗，下面我們來看看超純水具體的用處。

1、超純水可以用於電子行業，如應用18兆歐，或18.25兆歐的超純水，來進行導電、清洗電子管、生產電子管。

2、超純水廣泛應用於醫療領域，醫療機構內使用純水還是挺多的，比如：檢驗科、病理科、血透中心、消毒供應中心、手術室，實驗室等醫療用的純水一般是電阻率：≥15MΩ．CM，電導率：≤0.5μS。

簡介：

超純水指的是純度極高的水。這是一種工業用水，集成電路工業中用於半導體原材料和所用器皿的清洗、光刻掩模版的制備和矽片氧化用的水汽源等。

此外，其他固態電子器件、厚膜和薄膜電路、印刷電路、真空管等的製作也都要使用超純水。

Ⅵ 矽片清洗超純水設備廠家，哪家質量好

LTLD矽片清洗超來純水設源備性能優勢：
1、矽片清洗超純水設備中反滲透系統採用全自動方式控制，主要元件採用進口元件，穩定性高，操作簡單方便。
2、矽片清洗超純水設備使用專用濃水調節閥，操作方便。
3、矽片清洗超純水設備配備有紫外線及膜濾器，防止細菌對EDI及水質的影響。
4、矽片清洗超純水設備通過專業技術，確保EDI系統短時停機或長時間停機時水質保持穩定。
5、矽片清洗超純水設備採用原裝進口EDI膜堆，性能穩定，使用壽命長，連續出水水質穩定無波動，專利「全填充」濃水室，不需加鹽和濃水循環。
6、矽片清洗超純水設備中的EDI流量計採用帶磁感應浮子流量計，可預防因濃水通道堵塞或其他設備故障引起的無濃水產水而對膜堆造成的損壞。
7、矽片清洗超純水設備具有無水保護和高、低壓力保護等多種裝置安全功能。
8、矽片清洗超純水設備所有控制採用全自動方式，主要元件採用進口元件，穩定性高，操作簡單方便。

Ⅶ 電子工業超純水設備的應用范圍

為了滿足電子行業用水需求，根據光電材料，液晶顯示屏生產，加工，清洗等所需使用超純水標准，而設計並生產的一套超純水設備。

edi水處理設備出水符合標准

超純水設備出水水質完全符合美國ASTM純水水質標准、我國電子工業部電子級水質技術標准(18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm五級標准)、我國電子工業部高純水水質試行標准、美國半導體工業用純水指標、日本集成電路水質標准、國內外大規模集成電路水質標准。

edi超純水裝置-電子行業超純水系統

edi超純水系統工藝流程

預處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純化水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→0.2或0.5μm精密過濾器→用水對象(≥18MΩ.CM)

應用領域

電解電容器生產鋁箔及工作件的清洗

電子管生產、電子管陰極塗敷碳酸鹽配液

顯像管和陰極射線管生產、配料用純水

黑白顯像管熒光屏生產、玻殼清洗、沉澱、濕潤、洗膜、管頸清洗用純水

液晶顯示器的生產、屏面需用純水清洗和用純水配液

晶體管生產中主要用於清洗矽片，另有少量用於葯液配製

集成電路生產中高純水清洗矽片

半導體材料、器件、印刷電路板和集成電路

LCD液晶顯示屏、PDP等離子顯示屏

高品質顯像管、螢光粉生產

半導體材料、晶元材料生產、加工、清洗

超純材料和超純化學試劑、超純化工材料

實驗室和中試車間

汽車、家電表面拋光處理

光電產品、其他高科技精微產品

Ⅷ 在哪些行業可以用到超純水設備

在哪些行業可以復用到超純水制設備?

電解電容器生產鋁箔及工作件的清洗

電子管生產、電子管陰極塗敷碳酸鹽配液

顯像管和陰極射線管生產、配料用純水

黑白顯像管熒光屏生產、玻殼清洗、沉澱、濕潤、洗膜、管頸清洗用純水

液晶顯示器的生產、屏面需用純水清洗和用純水配液

晶體管生產中主要用於清洗矽片，另有少量用於葯液配製

集成電路生產中高純水清洗矽片

半導體材料、器件、印刷電路板和集成電路

LCD液晶顯示屏、PDP等離子顯示屏

高品質顯像管、螢光粉生產

晶元材料生產、加工、清洗

超純材料和超純化學試劑、超純化工材料

實驗室和中試車間

汽車、家電、建材產品表面塗裝等其它要求的表面處理用純水

光電產品、其他高科技精微產品

電鍍(鍍金、鍍銀、塑料電鍍、鍍鉻、鍍鋅等)用水

玻璃鍍膜用高純水

超聲波清洗用純水，電泳用純水