粗硅提纯用蒸馏

Ⅰ 工业上用“三氯氢硅还原法”，提纯粗硅的工艺流程如图所示：（1）三氯氢硅的制备原理：Si（s）+3HCl（g）

（1）用催化剂、增大压强或HCl浓度，加快SiHCl₃的生成速率而又不降低硅的转化率提高；
故答案为：催化剂、增大压强或HCl浓度；
（2）①SiHCl₃（l）和SiCl₄（l）是互溶的液体，采用蒸馏的方法分离；
故答案为：蒸馏；
②Si（s）+3HCl（g）?SiHCl₃（g）+H₂（g）△H=-210kJ/mol①
Si（s）+4HCl（g）?SiCl₄（g）+2H₂（g）△H=-241kJ/mol②
根据盖斯定律则②-①得：SiHCl₃（g）+HCl（g）?SiCl₄（g）+H₂（g）△H=-31kJ/mol，故答案为：-31；
③由图示可知反应物有粗硅、HCl、H₂；反应过程中生成物有：SiHCl₃、H₂、SiCl₄、HCl，所以在反应物中和生成物中都有的物质是HCl、H₂，所以流程中可循环使用的物质是HCl、H₂，故答案为：氯化氢、氢气．

Ⅱ 粗硅提纯要什么条件

首先，方法不同，条件不同。
方法一：（1）SiO2+2C=(条件:3270K)Si+2CO
(2)Si(粗)+2Cl2(g)==(720~770k)==SiCl4(l)
(3) SiCl4+2H2==电炉==Si(纯)+4HCl
方法二：(1)Si(粗)+3HCl(g)==可逆(520~570k)==SiHCl3(l)+H2(g)
(2)精馏方法，提纯SiHCl3
(3)提纯后再用氢气还原。H2+SiHCl3=(1084℃)==Si(纯)+3HCl
方法三：(4)Na2SiF6+4Na====6NaF+Si 摘自冀师大版(无机.下)P510
方法优缺点：方法一需要高温，耗能大，一般工业上常用
方法二反应温度较低，耗能少，但生成的三氯硅甲烷易自燃，实验室常用
方法三较廉价
注：方法二制备过程中必须无水无氧。提纯后再用氢气还原若混入氧气，硅被氧化得不到高纯硅且还会引起爆炸。

Ⅲ 如何提纯硅

一般来说,工业制取高禅绝纯单晶硅主要采用以下方法：
橘袭哪①首先由石英砂和焦炭在电弧炉中制取纯度较低的粗硅
SiO2+2C==(3273K)Si+2CO↑
②然后将粗硅转化为有挥发性并易提纯的四氯化硅或三氯氢硅
圆码Si+2Cl2==（723~773K）SiCl4
Si+3HCl==(523~573K)SiHCl3+H2↑
③再用精馏法提纯SiCl4或SiHCl3,在电炉中用氢气还原,得到纯度较高的硅
SiCl4+2H2==(加热)Si+4HCl
④最后我们用区域熔融法进一步提纯并制成高纯单晶硅

Ⅳ 如何用粗硅提纯得到单晶硅

然后，裂模旁将粗
si
再转变成四卤化硅：
si
+
cl2
→
sicl4
用精馏的码乎方法将
sicl4
提纯后，再用纯锌或镁还原
sicl4
得到较高肆橡的单质硅：
sicl4
+
2zn
→
si
+
2zncl2
最后用物理方法——区域熔融法——来进一步提纯，得到高纯度得硅。
硅