硅片清洗超纯水

㈠ 超声波清洗机能清洗硅片吗

可以的。

随着半导体材料技术的发展，对硅片的规格和质量也提出更高的要求，适合微细加工的大直径硅片在市场的需求比例将日益加大。半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺目前世界普遍采用先进的切、磨、抛和洁净封装工艺，使制片技术取得明显进展。最新尖端技术的导入，使SOI等高功能晶片的试制开发也进入批量生产阶段。对此，硅片生产厂家也增加了对300mm硅片的设备投资，针对设计规则的进一步微细化。利用超声波清洗技术，在清洗过程中超声波频率在合理的范围内往复扫动，带动清洗液形成细微回流，使工件污垢在被超声剥离的同时迅速带离工件表面，提高清洗效率。

超声波清洗方法及其放置方向

将被洗研磨硅片水平状放置在清洗槽底部上方栅栏状的石英棒框架上，在确保清洗槽内具有去离子水高度并不断流动的条件下，利用设在清洗槽底部的超声波振子进行清洗，超声波频率为40KHz，每5分钟将研磨硅片翻一个面，连续超洗至被超洗的研磨硅片表面没有黑色污染物冒出止。超声波清洗单晶硅片装置清洗槽的槽壁上设有进水口和出水口，槽底部下方设有超声波振子，清洗槽槽内设有一搁置单晶硅片的框架，框架底壁为栅栏状的石英棒形成的平面低于去离子水水平面，整个框架由支撑脚支撑在清洗槽内。

具体实施时，石英棒距离清洗槽的底壁为15厘米。清洗时，单晶硅片可以平置在石英棒上，将现有的竖超洗改成平超洗，消除了单晶硅片在竖超洗状态下，污染物会残留堆积在硅片表面，形成局部区域清洗不干净，以及承载硅片的软体花篮会吸附和阻挡掉超声波源的传递，从而造成硅片表面局部区域清洗不干净的现象，具有结构更简单、用水量大大减少的优点。

采用超声波清洗机的优点

1、采用了真空脱气技术有效去除液体中气体，且运用抛动功能，增强超声对工件表面油污和污垢的清洗能力，缩短清洗时间;

2、洗篮设计转动机构重叠不可分拆的零件或形状复杂的零件，也可做到均匀完整的清洗;

3、减压真空系统能吸出盲孔、缝隙及叠加零件之间的空气，使超声波在减压的状态下产生

4、真空蒸汽清洗+真空干燥系统利用蒸汽洗净做养护，完美实现清洗效果;

5、蒸汽清洗、干燥及清洗液加热的全过程在减压真空中进行，更有效地确保了安全性;

6、防爆配件及简洁加热系统，进一步提高安全度;

7、加热温度自动可调;

8、设有安全保险装置;

9、超声输出频率可根据不同工作情况进行微调.

㈡ 硅片是如何和清洗的

1. 清洗硅片并准备掩膜：
1）浓H2SO4/H2O2=3﹕1，15min（配1次洗液可以用1周；H2O2 30%）；
2）打开电热板调至200℃；掩膜准备；
2. 超纯水清洗硅片；
注释：用镊子夹着硅片，不能使硅片放干；
3. 无水乙醇清洗硅片，1min（摇动或超声），不用水洗！
4. 丙酮清洗硅片，1min（摇动或超声）；
5. 超纯水清洗；
6. 吸水纸吸取边缘水分（勿放于吸水纸上）；
7. 用镊子夹住硅片，氮气吹干或者放在200℃电热板上方（不能接触），待彻底干后，放在电热板上5min；

㈢ 硅片清洗工艺

硅片脏了需要清洗，清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。会导致各种缺陷。下面我们来看看硅片清洗工艺。

一、物理清洗：物理清洗有三种方法。①刷洗或擦洗:可除去颗粒污染和大多数粘在片子上的薄膜。②高压清洗：是用液体喷射片子表面，喷嘴的压力高达几百个大气压。高压清洗靠喷射作用，片子不易产生划痕和损伤。但高压喷射会产生静电作用，靠调节喷嘴到片子的距离、角度或加入防静电剂加以避免。③超声波清洗：超声波声能传入溶液,靠气蚀作用洗掉片子上的污染。但是,从有图形的片子上除去小于 1微米颗粒则比较困难。将频率提高到超高频频段，清洗效果更好。

二、化学清洗。化学清洗方法较多,有溶剂萃取、酸洗（硫酸、硝酸、王水、各种混合酸等）和等离子体法等。其中双氧水体系清洗方法效果好，环境污染小。一般方法是将硅片先用成分比为H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的强氧化性,将有机物分解而除去；用超纯水冲洗后,再用成分比为H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的碱性清洗液清洗,由于H2O2的氧化作用和NH4OH的络合作用，许多金属离子形成稳定的可溶性络合物而溶于水；然后使用成分比为H2O:H2O2:HCL=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液，由于H2O2的氧化作用和盐酸的溶解，以及氯离子的络合性，许多金属生成溶于水的络离子，从而达到清洗的目的。

㈣ 硅片清洗超纯水设备厂家，哪家质量好

LTLD硅片清洗超来纯水设源备性能优势：
1、硅片清洗超纯水设备中反渗透系统采用全自动方式控制，主要元件采用进口元件，稳定性高，操作简单方便。
2、硅片清洗超纯水设备使用专用浓水调节阀，操作方便。
3、硅片清洗超纯水设备配备有紫外线及膜滤器，防止细菌对EDI及水质的影响。
4、硅片清洗超纯水设备通过专业技术，确保EDI系统短时停机或长时间停机时水质保持稳定。
5、硅片清洗超纯水设备采用原装进口EDI膜堆，性能稳定，使用寿命长，连续出水水质稳定无波动，专利“全填充”浓水室，不需加盐和浓水循环。
6、硅片清洗超纯水设备中的EDI流量计采用带磁感应浮子流量计，可预防因浓水通道堵塞或其他设备故障引起的无浓水产水而对膜堆造成的损坏。
7、硅片清洗超纯水设备具有无水保护和高、低压力保护等多种装置安全功能。
8、硅片清洗超纯水设备所有控制采用全自动方式，主要元件采用进口元件，稳定性高，操作简单方便。

㈤ 硅片清洗剂有什么作用

硅片清洗剂是针对性去除硅片表面的颗粒、有机物、金属离子等污染物的水基清洗剂，清洗剂中的活性物质可以吸附在硅片表面，使其长期处于易清洗的物理吸附状态，并在表面形成保护层，防止颗粒的二次吸附，能有效提高外延或扩散工序的成品率。

㈥ 硅片清洗超纯水设备用的仪表，有什么

给水电导率表可设置报警，从给水电导率和产品水电导率可估计出RO的脱盐率。
3、压力表
出水压力表、给水压力表、排水压力表用于计算设备的每一段压降，对产水量和盐透率维持稳定起到重要作用。

㈦ 清洗硅片的顺序

太阳能硅片表面等离子体清洗工艺

硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉。 去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易，清洗彻底，无反应物残留，所霈工艺气体无毒，成本低，劳动量小，工作效率高。

等离子硅片清洗条件参数：
1、硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉；所用气体选自02、Ar、N2中的任一种；气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm，时间1-5s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力1040毫托，工艺气体流量100-500sccm，上电极功率250-400W，时间1-10s。
2、如1所述的等离子体清洗方法，其特征在于所用气体为02。
3、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss。
4、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，时间1-5s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，上电极功率250-400W，时闾1-5s。
5、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss

说 明 书

等离子清洗涉及刻蚀工艺领域，并且完全满足去除刻蚀工艺后硅片表面残
留颗粒的清洗。
背景技术
在刻蚀过程中，颗粒的来源很多：刻蚀用气体如Cl2、HBr、CF4等都具有腐蚀性，刻蚀结束后会在硅片表面产生一定数量的颗粒；反应室的石英盖也会在等离子体的轰击作用下产生石英颗粒；反应室内的内衬( liner)也会在较长时间的刻蚀过程中产生金属颗粒。刻蚀后硅片表面残留的颗粒会阻碍导电连接，导致器件损坏。因此，在刻蚀工艺过程中对颗粒的控制很重要。
目前，常用的去除硅片表面颗粒的方法有两种：一种是标准清洗( RCA)清洗技术，另一种是用硅片清洗机进行兆声清洗。RCA清洗技术所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统。其清洗工序为：一号液( SC-1)(NH40H+H202)—，稀释的HF(DHF)(HF+H20)—，二号液( SC-2)(HCl+ H202)。其中，SC．1主要是去除颗粒沾污（粒子），也能去除部分金属杂质。去除颗粒的原理为：硅片表面由于H202氧化作用生成氧化膜（约6nm，呈亲水性），该氧化膜又被NH40H腐蚀，腐蚀后立即发生氧他，氧化和腐蚀反复进行，附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。自然氧化膜约0.6nm厚，与NH40H和H202的浓度及清洗液温度无关。SC-2是用H202和HCL的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与未被氧化的金属作用生成盐，并随去离子水冲洗而被去除，被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。RCA清洗技术存在以下缺陷：需要人工操作，劳动量大，操作环境危险；工艺复杂，清洗时间长，生产效率低；清洗溶剂长期浸泡容易对硅片过腐蚀或留下水痕，影响器件性能；清洗剂和超净水消耗量大，生产成本高；去除
粒子效果较好，但去除金属杂质Al、Fe效果欠佳。
用硅片清洗机进行兆声清洗是将硅片吸附在静电卡盘( chuck)上，清洗过程中硅片不断旋转，清洗液喷淋在硅片表面。可以进行不同转速和喷淋时间的设置，连续完成多步清洗步骤。典型工艺为：兆声_氨水+双氧水（可以进行加温）_水洗_盐酸+双氧水-水洗_兆声一甩干。
用硅片清洗机进行兆声清洗的缺陷表现为：只能进行单片清洗，单片清洗时间长，导致生产效率较低；清洗剂和超净水消耗量大，生产成本高。

等离子清洗硅片表面颗粒原理：
等离子体清洗方法的原理为：依靠处于“等离子态”的物质的“活化作用，，达到去除物体表面颗粒的目的。它通常包括以下过程：a．无机气体被激发到等离子态；b．气相物质被吸附在固体表面；c．被吸附基团与固体表面分子反应生成产物分子；d．产物分子解析形成气相；e．反应残余物脱离表面。
等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗（purge）流程，然后进行该气体等离子体启辉。
所用工艺气体选自02、Ar、N2中的任一种。优选地，所用工艺气体选
02。
以上所述的等离子体清洗方法，氕体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm，时间1-5s；启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm，上电极功率250-400W，时间1-10s。
优选地，气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，时间1-5s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，上电极功率250-400W，时间1.Ss。
更优选地，气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss。
等离子清洗硅片后效果：
本发明所述的去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易，清洗彻底，无反应物残留，所需工艺气体无毒，成本低，劳动量小，工作效率高。
附图说明
图1等离子体清洗前后的CD-SEM（关键尺寸量测仪器）图片；
其中，CD: Criticaldimension关键尺寸。
图2等离子体清洗前后的FE-SEM（场发射显微镜）图片；
其中，FE: field emission场发射。
图3等离子体清洗前后的particle（粒子）图片。
在进行完BT（break through自然氧化层去除步骤）、ME（Main Etch主刻步骤）、OE（过刻步骤）的刻蚀过程后，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程：首先，进行02的清洗过程，去除上一步的残留气体，腔室压力设置为15毫托，02流量为300sccm，通气时间为3s;然后，进行含有02的启辉过程：腔室压力设置为15毫托，02流量为300sccm，上RF的功率设置为300W．启辉时间为Ss。
采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒。
在进行完BT、ME、OE的刻蚀过程后，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程：首先，进行Ar的清洗过程，去除上一步的残留气体，腔室压力设置为10毫托，Ar流量为100sccm，通气时间为Ss;然后，进行含有Ar的启辉过程：腔室压力设置为10毫托，Ar流量为100sccm，上RF的功率设置为400W，启辉时间为10s。
采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒。
在进行完BT、ME、OE的刻蚀过程后，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程：首先，进行N2的清洗过程，去除上一步的残留气体，腔室压力设置为40毫托，N2流量为500sccm，通气时间为Ss;然后，进行含有N2的启辉过程：腔室压力设置为40毫托，N2流量为500sccm，上RF的功率设置为250W，启辉时间为10s。
采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒。
南京世锋科技等离子研究中心 QQ283加5883加29

㈧ 超纯水系统设备的主要用途有哪些

超纯抄水系统设备应用领域

1、电子、电力、电镀、照明电器、实验室、食品、造纸、日化、建材、造漆、蓄电池、化验、生物、制药、石油、化工、钢铁、玻璃等领域。

2、化工工艺用水、化学药剂、化妆品等用纯水。

3、单晶硅、半导体晶片切割制造、半导体芯片、半导体封装、引线柜架、集成电路、液晶显示器、导电玻璃、显像管、线路板、光通信、电脑元件、电容器洁净产品及各种元器件等生产工艺用纯水。

4、食品工业用水、饮用纯净水、矿泉水、资料、啤酒、乳业等。

5、海水、苦咸水淡化：海岛、舰船、高盐碱地区生活用水改善。

6、楼宇、社区优质供水:星级宾馆、机场、房产物业纯水网络系统等。

7、化工行业工艺用水：化工冷却、化肥、化学药剂制造。

8、工业产品制造用水：汽车、家电涂装、涂料、油漆、精细加工清洗等。

9、电力行业锅炉补给水、热力、火力发电锅炉、中、低压锅炉动力系统、精细化工、精尖学科用水。

㈨ 太阳能硅片清洗过程中所使用的清洗剂的成分是什么呢

一般方法是将硅片先用成分比为H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的强氧化性,将有机物分解而除去；用超纯水冲洗后,再用成分比为H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的碱性清洗液清洗,由于H2O2的氧化作用和NH4O

求采纳

㈩ 硅片清洗用纯水的电导率多少为宜

理想纯水(理论上)电导率为0.055 uS/cm，电阻率（25℃）为18.3x106Ω•cm。实际上＜2μS/cm到＜0.1μS/cm的都有，一般没有太大影响。